財聯(lián)社5月13日訊（記者 王碧微）自2025年步入第二季度以來，DRAM市場“漲聲”不斷，部分細分領(lǐng)域更是供應(yīng)緊俏?！坝械男吞栆粋€月近乎漲了50%！”國內(nèi)某存儲廠商高管透露。日前，又有媒體報道稱三星于本月初將DDR4價格上調(diào) 20%，DDR5上調(diào)約 5%。

多位產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)茉L人士在近日接受財聯(lián)社記者時均表示，此輪市場波動主要源于AI帶來HBM和服務(wù)器DRAM的增量需求后，三星、SK海力士等主流原廠的戰(zhàn)略性產(chǎn)能調(diào)整。

“近期原廠相繼發(fā)布了DDR4 EOL（生命周期結(jié)束）通知，考慮到服務(wù)器和PC等終端對D4產(chǎn)品仍有一定長尾需求，下游緊急建立DDR4庫存，令近期DDR4產(chǎn)品出現(xiàn)供應(yīng)緊俏的情況?！盋FM閃存市場分析師楊伊婷向記者表示道。

在此情況下，存儲原廠及囤貨充足的模組廠均有望受益。更加值得注意的是，隨著國際廠商的產(chǎn)能戰(zhàn)略調(diào)整以及供應(yīng)鏈環(huán)境的變化，國內(nèi)存儲廠商也迎來結(jié)構(gòu)性機遇。

DRAM漲價潮起：AI“火熱”與原廠“控盤”

2025年伊始，DRAM市場供應(yīng)趨緊的態(tài)勢已逐漸顯現(xiàn)。

深圳某存儲模組廠高管劉明在近期的市場交流中向財聯(lián)社記者提供了一個生動的市場觀察：“DRAM近期漲價很猛，尤其部分型號的DDR4，一個月漲幅接近50%了。你今天問我4塊錢，覺得貴了觀望一下，過幾天可能就4塊5了。”

她進一步解釋，由于三星、海力士、美光三大原廠的產(chǎn)能向高性能存儲傾斜，降低了利基型產(chǎn)品的庫存水位，以DDR4、LPDDR4等產(chǎn)品為代表的利基型 DRAM 價格自3月底開始有所回升。

“預(yù)計2Q25 PC DRAM及Mobile DRAM合約價將分別上漲3%～8%及0%～5%。這主要包括品牌商為避免潛在政策調(diào)整帶來的成本壓力而積極調(diào)整生產(chǎn)，帶動了DRAM采購需求；同時，三星及SK海力士正處于制程轉(zhuǎn)換期，且產(chǎn)能優(yōu)先保障生產(chǎn)Server DRAM及HBM，導(dǎo)致PC DRAM及mobile DRAM的位元產(chǎn)出受限?！?TrendForce集邦咨詢分析師許家源向財聯(lián)社記者分析稱。

現(xiàn)貨市場對此反應(yīng)更為迅速，據(jù)市場調(diào)查公司DRAMeXchange數(shù)據(jù)，用于個人電腦的通用DRAM DDR4 8Gb（千兆字節(jié)）產(chǎn)品的固定交易價格為1.65美元，在4月共上漲22.22%；用于存儲卡和USB的128Gb MLC NAND閃存的固定交易價格為2.79美元，4月共上漲11.06%。

可以看出，此輪漲價潮的核心驅(qū)動力，指向AI對存儲需求的革命性影響，Yole Group在其近期報告中預(yù)測，主要用于AI的HBM市場營收將從2024年的170億美元增長到2030年的980億美元，年復(fù)合增長率高達33%。

SK海力士方面預(yù)計，到2025年其HBM銷售額將占其總內(nèi)存銷售額的50%以上，該公司與美光科技的HBM產(chǎn)能在2025年均已完全分配完畢；美光科技更是在其截至2025年2月27日的財年第二季度實現(xiàn)了超過10億美元的HBM營收，其數(shù)據(jù)中心DRAM營收亦同比增長兩倍。HBM憑借其高帶寬、低延遲特性，成為AI服務(wù)器和高性能計算的標(biāo)配，例如英偉達B200、H200系列GPU均需搭配HBM。

這種對HBM的旺盛需求，正顯著擠壓DRAM的整體產(chǎn)能，并推高其市場價值。在此背景下，產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)的受益程度呈現(xiàn)明顯分化，許家源和楊伊婷均向財聯(lián)社記者強調(diào)，DRAM原廠無疑是本輪漲價的最大受益者。

財報數(shù)據(jù)亦印證了這一點，SK海力士2025年第一季度實現(xiàn)營業(yè)利潤7.44萬億韓元，營業(yè)利潤率高達42%，據(jù)Counterpoint Research統(tǒng)計，其當(dāng)季HBM市場份額更是高達70%，首次超越三星成為DRAM市場領(lǐng)導(dǎo)者。

美光科技2025財年第二季度Non-GAAP毛利率也達到了37.9%，HBM營收強勁。三星電子DS（設(shè)備解決方案）部門在2025年第一季度亦實現(xiàn)了1.1萬億韓元的營業(yè)利潤。

相比之下，模組廠商則普遍面臨較大經(jīng)營壓力，許家源指出，由于終端需求傳導(dǎo)不暢，模組零售價漲幅往往難以完全覆蓋顆粒采購成本的上漲，楊伊婷則認為，漲價后廠商能否盈利，很大程度上取決于其前期低價庫存的消化情況以及成本控制能力。

財聯(lián)社記者注意到，A股存儲模組龍頭佰維存儲（688525.SH）在其2025年第一季度業(yè)績報告中披露凈虧損達1.97億元，公司解釋稱主要原因包括存儲芯片價格下滑（指部分非熱門型號或早期采購成本較高產(chǎn)品）、存貨減值準(zhǔn)備增加以及AI終端產(chǎn)品模組實際交付量不及預(yù)期等；江波龍（301308.SZ）同期歸屬于上市公司股東的凈利潤亦虧損1.52億元，其在財報中也提及下游客戶消化庫存導(dǎo)致公司毛利率下滑。

HBM“引擎”持續(xù)轟鳴 傳統(tǒng)需求與國產(chǎn)化添變數(shù)

展望2025年下半年及未來，存儲市場機遇與不確定性并存。

許家源預(yù)計，在原廠位元產(chǎn)出持續(xù)受限的背景下，3Q25 DRAM合約價有望延續(xù)漲勢，但他也提醒，若上游政策調(diào)整帶來的成本壓力顯著傳導(dǎo)至終端消費意愿，不排除DRAM價格漲幅弱于預(yù)期的可能。

楊伊婷則判斷，今年存儲整體供應(yīng)情況相對比較健康，下半年出貨旺季來臨后，市場整體成交預(yù)計將更為活躍，但“外圍局勢動蕩”及“需求端的實際變化”仍是影響后市的關(guān)鍵變量。

此外，HBM作為AI時代的關(guān)鍵部件，其需求預(yù)計將持續(xù)高熱，TechInsights在其最新的市場預(yù)測中指出，受AI應(yīng)用中HBM和QLC NAND需求的強力驅(qū)動，2025年全球整體存儲芯片銷售額有望增長20%，達到2031億美元。

NAND Flash市場也逐步顯現(xiàn)復(fù)蘇跡象，TrendForce集邦咨詢預(yù)測，在制造商持續(xù)減產(chǎn)、智能手機產(chǎn)業(yè)鏈庫存逐步去化以及AI服務(wù)器對企業(yè)級SSD（eSSD）需求增長的共同作用下，NAND閃存和SSD價格在2025年第三季度預(yù)計將上漲10%～15%，第四季度或?qū)⑦M一步上漲8%～13%。

下游方面，傳統(tǒng)消費電子領(lǐng)域，AI PC和AI智能手機被行業(yè)寄予厚望，被視為可能攪動存量市場并激發(fā)換機需求的新增長點。

劉明認為，今年AI PC的普及以及各類AI大模型在終端的滲透，將為存儲帶來新的需求增量。

如在今年熱度較高的AI眼鏡領(lǐng)域，已有不少國產(chǎn)存儲廠商進展喜人。財聯(lián)社記者從業(yè)內(nèi)了解到，康盈半導(dǎo)體的ePOP嵌入式存儲芯片目前已成功上機，成為AI眼鏡輕量化設(shè)計的重要解決方案；佰維存儲近期在業(yè)績交流會上表示，預(yù)計2025年公司面向AI眼鏡產(chǎn)品收入有望同比增長超500%。

不過，TrendForce集邦咨詢最新數(shù)據(jù)顯示，2025年筆記本電腦品牌的整體出貨量增長預(yù)期已有所下調(diào)，AI概念能否迅速轉(zhuǎn)化為大規(guī)模的終端消費需求，仍有待市場檢驗。

在此產(chǎn)業(yè)變革期，“國產(chǎn)化”為中國本土存儲廠商帶來了結(jié)構(gòu)性的發(fā)展機遇，劉明就在與財聯(lián)社記者的交流中對此持樂觀態(tài)度：“2023年國產(chǎn)存儲芯片在全球市場的占比不足7%，但到了2024年已提升至約12%，增速非?？捎^。我們預(yù)計今年國產(chǎn)占比還會繼續(xù)提高。”

她進一步分析，國際大廠如美光、三星等逐步退出部分中低階或特定類型產(chǎn)品的市場競爭，客觀上為本土廠商提供了寶貴的市場空間和客戶導(dǎo)入機會?！耙蚤L江存儲和長鑫存儲為代表的本土存儲器廠商在產(chǎn)品技術(shù)和市場拓展方面持續(xù)突破。長江存儲 128 層 NAND 閃存已經(jīng)量產(chǎn)，并且已向少數(shù)客戶交付 192 層 3D NAND 閃存樣品；長鑫存儲在 DRAM 領(lǐng)域也取得進展，為國內(nèi) DRAM 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)，國產(chǎn)存儲芯片在技術(shù)上不斷縮小與國際領(lǐng)先水平的差距，有較大的技術(shù)追趕空間和市場替代空間。”

“同時，經(jīng)過這幾年的市場培育和貿(mào)易環(huán)境變化，客戶對國產(chǎn)存儲芯片的接受度和使用意愿已大幅提升?！眲⒚鬟M一步表示。

國內(nèi)另一存儲芯片廠商高管也在近日接受財聯(lián)社記者采訪時表示，此前進入如汽車等高端產(chǎn)品線時驗證期常常需要2-3年，現(xiàn)在時間大大縮短，“我們的新品還沒發(fā)布就已經(jīng)有廠商來談合作了。”

兆易創(chuàng)新（603986.SH）在其2024年報中亦提及，隨著國際大廠逐步淡出利基型DRAM市場，有望為深耕此領(lǐng)域的國內(nèi)廠商帶來市占率提升的契機。

值得注意的是，國產(chǎn)存儲的崛起之路也并非坦途，本土企業(yè)在HBM、最先進DRAM制程等尖端技術(shù)領(lǐng)域與國際巨頭相比仍存在較為明顯的技術(shù)代差和專利壁壘。

此外，多數(shù)A股存儲模組廠商目前業(yè)務(wù)重心仍在消費電子市場，業(yè)績表現(xiàn)易受該市場周期性波動的顯著影響，且面臨激烈的價格競爭。供應(yīng)鏈的自主可控能力，特別是上游關(guān)鍵設(shè)備、材料以及高端晶圓的穩(wěn)定獲取，仍是制約部分本土企業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。

（文中采訪對象劉明為化名）